FDP8D5N10C - FET ENGR DEV-NOT REL

Référence fabricant

FDP8D5N10C

Numéro de pièce interne

ABC-FDP8D5N10C

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

FET ENGR DEV-NOT REL

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

279020 Pieces

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Spécifications pour FDP8D5N10C

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDP8D5N10C

Fabricant : ON Semiconductor

La description : FET ENGR DEV-NOT REL

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 76A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 76A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 130µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2475pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.4W (Ta), 107W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220-3

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FDP , FDP8D

Documents pour FDP8D5N10C

Feuilles de données : FDP8D5N10C.pdf

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