DMG6898LSDQ-13 - MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Référence fabricant

DMG6898LSDQ-13

Numéro de pièce interne

ABC-DMG6898LSDQ-13

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour DMG6898LSDQ-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMG6898LSDQ-13

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1149pF @ 10V

Puissance - Max : 1.28W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareils du fournisseur : 8-SO

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMG6 , DMG6898

Documents pour DMG6898LSDQ-13

Feuilles de données : DMG6898LSDQ-13.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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