FDC653N - MOSFET N-CH 30V 5A SSOT-6

Référence fabricant

FDC653N

Numéro de pièce interne

ABC-FDC653N

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 30V 5A SSOT-6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour FDC653N

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDC653N

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 30V 5A SSOT-6

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.6W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SuperSOT™-6

Paquet / caisse : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FD , FDC

Documents pour FDC653N

Feuilles de données : FDC653N.pdf

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