SIDC105D120H8X1SA1 - DIODE GEN PURP 1.2KV 200A WAFER

Référence fabricant

SIDC105D120H8X1SA1

Numéro de pièce interne

ABC-SIDC105D120H8X1SA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

DIODE GEN PURP 1.2KV 200A WAFER

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour SIDC105D120H8X1SA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SIDC105D120H8X1SA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : DIODE GEN PURP 1.2KV 200A WAFER

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1200V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 200A (DC)

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.41V @ 45A

La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : -

Courant - Fuite inverse @ Vr : 27µA @ 1200V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : Die

Package d'appareils du fournisseur : Sawn on foil

Température de fonctionnement - Jonction : -40°C ~ 175°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SIDC10 , SIDC105D1

Documents pour SIDC105D120H8X1SA1

Feuilles de données : SIDC105D120H8X1SA1.pdf

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