STB7NK80Z-1 - MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK

Référence fabricant

STB7NK80Z-1

Numéro de pièce interne

ABC-STB7NK80Z-1

Fabricant

STMicroelectronics

Brève description

MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour STB7NK80Z-1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : STB7NK80Z-1

Fabricant : STMicroelectronics

La description : MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK

Séries : SuperMESH™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 800V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.2A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 2.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1138pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 125W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : I2PAK

Paquet / caisse : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : STB , STB7N

Documents pour STB7NK80Z-1

Feuilles de données : STB7NK80Z-1.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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