IRF7341PBF - MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

Référence fabricant

IRF7341PBF

Numéro de pièce interne

ABC-IRF7341PBF

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IRF7341PBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRF7341PBF

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 55V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 740pF @ 25V

Puissance - Max : 2W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareils du fournisseur : 8-SO

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRF , IRF73

Documents pour IRF7341PBF

Feuilles de données : IRF7341PBF.pdf

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