GB2X100MPS12-227 - SIC DIODE 1200V 200A SOT-227

Référence fabricant

GB2X100MPS12-227

Numéro de pièce interne

ABC-GB2X100MPS12-227

Fabricant

GeneSiC Semiconductor

Brève description

SIC DIODE 1200V 200A SOT-227

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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32079 Pieces

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Spécifications pour GB2X100MPS12-227

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : GB2X100MPS12-227

Fabricant : GeneSiC Semiconductor

La description : SIC DIODE 1200V 200A SOT-227

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Configuration de la diode : 2 Independent

Type de diode : Silicon Carbide Schottky

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1200V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) : 185A (DC)

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.8V @ 100A

La vitesse : No Recovery Time > 500mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 0ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 80µA @ 1200V

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 175°C

Type de montage : Chassis Mount

Paquet / caisse : SOT-227-4, miniBLOC

Package d'appareils du fournisseur : SOT-227

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : GB2X1 , GB2X100M

Documents pour GB2X100MPS12-227

Feuilles de données : GB2X100MPS12-227.pdf

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