FDN339AN - MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3

Référence fabricant

FDN339AN

Numéro de pièce interne

ABC-FDN339AN

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FDN339AN

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDN339AN

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 700pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 500mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SuperSOT-3

Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FD , FDN3

Documents pour FDN339AN

Feuilles de données : FDN339AN.pdf

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