ES6U2T2R - MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6

Référence fabricant

ES6U2T2R

Numéro de pièce interne

ABC-ES6U2T2R

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour ES6U2T2R

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : ES6U2T2R

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6

Séries : -

Statut de la pièce : Not For New Designs

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.5A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.8nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 110pF @ 10V

Caractéristique FET : Schottky Diode (Isolated)

Dissipation de puissance (max) : 700mW (Ta)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 6-WEMT

Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : ES , ES6U

Documents pour ES6U2T2R

Feuilles de données : ES6U2T2R.pdf

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