IXTQ110N10P - MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P

Référence fabricant

IXTQ110N10P

Numéro de pièce interne

ABC-IXTQ110N10P

Fabricant

IXYS

Brève description

MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IXTQ110N10P

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXTQ110N10P

Fabricant : IXYS

La description : MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P

Séries : PolarHT™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 110A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3550pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 480W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-3P

Paquet / caisse : TO-3P-3, SC-65-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXT , IXTQ1

Documents pour IXTQ110N10P

Feuilles de données : IXTQ110N10P.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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