DMN1029UFDB-13 - MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Référence fabricant

DMN1029UFDB-13

Numéro de pièce interne

ABC-DMN1029UFDB-13

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour DMN1029UFDB-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMN1029UFDB-13

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 12V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 19.6nC @ 8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 914pF @ 6V

Puissance - Max : 1.4W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 6-UDFN Exposed Pad

Package d'appareils du fournisseur : U-DFN2020-6 (Type B)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMN1 , DMN1029

Documents pour DMN1029UFDB-13

Feuilles de données : DMN1029UFDB-13.pdf

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