FDFC3N108 - MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6

Référence fabricant

FDFC3N108

Numéro de pièce interne

ABC-FDFC3N108

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour FDFC3N108

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDFC3N108

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.9nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 355pF @ 10V

Caractéristique FET : Schottky Diode (Isolated)

Dissipation de puissance (max) : -

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SuperSOT™-6

Paquet / caisse : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FDF , FDFC

Documents pour FDFC3N108

Feuilles de données : FDFC3N108.pdf

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