EMB2T2R - TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

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TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
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Spécifications pour EMB2T2R

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : EMB2T2R
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de transistor : 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 50V
Résistance - Base (R1) : 47 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) : 47 kOhms
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 68 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 500nA
Fréquence - Transition : 250MHz
Puissance - Max : 150mW
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur : EMT6
Poids : -
État : Nouveau et original
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