DMG4N65CTI - MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Référence fabricant

DMG4N65CTI

Numéro de pièce interne

ABC-DMG4N65CTI

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour DMG4N65CTI

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMG4N65CTI

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 650V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 13.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 8.35W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : ITO-220AB

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMG , DMG4N

Documents pour DMG4N65CTI

Feuilles de données : DMG4N65CTI.pdf

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