US6M11TR - MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

Référence fabricant

US6M11TR

Numéro de pièce interne

ABC-US6M11TR

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour US6M11TR

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : US6M11TR

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N and P-Channel

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 20V, 12V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.5A, 1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.8nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 110pF @ 10V

Puissance - Max : 1W

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 6-SMD, Flat Leads

Package d'appareils du fournisseur : TUMT6

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : US , US6M

Documents pour US6M11TR

Feuilles de données : US6M11TR.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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