JAN1N5809URS - DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Référence fabricant

JAN1N5809URS

Numéro de pièce interne

ABC-JAN1N5809URS

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

62439 Pieces

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Spécifications pour JAN1N5809URS

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : JAN1N5809URS

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Séries : Military, MIL-PRF-19500/477

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 100V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 3A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 875mV @ 4A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 30ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 100V

Capacité @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : SQ-MELF, B

Package d'appareils du fournisseur : B, SQ-MELF

Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 175°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : JAN1 , JAN1N5

Documents pour JAN1N5809URS

Feuilles de données : JAN1N5809URS.pdf

Produits associés pour JAN1N5809URS Microsemi Corporation

Numéro d'article	Marque	La description
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WF125420WN76236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7600PF 18KV SCREW.
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WF165336WQ75238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
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