TK16J60W,S1VQ - MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3PN

Référence fabricant

TK16J60W,S1VQ

Numéro de pièce interne

ABC-TK16J60W,S1VQ

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3PN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

67200 Pieces

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Spécifications pour TK16J60W,S1VQ

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TK16J60W,S1VQ

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3PN

Séries : DTMOSIV

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 15.8A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 7.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 790µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 300V

Caractéristique FET : Super Junction

Dissipation de puissance (max) : 130W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-3P(N)

Paquet / caisse : TO-3P-3, SC-65-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TK16 , TK16J6

Documents pour TK16J60W,S1VQ

Feuilles de données : TK16J60W,S1VQ.pdf

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