APTC60DAM35T1G - MOSFET N-CH 600V 72A SP1

Référence fabricant

APTC60DAM35T1G

Numéro de pièce interne

ABC-APTC60DAM35T1G

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

MOSFET N-CH 600V 72A SP1

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

105552 Pieces

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Spécifications pour APTC60DAM35T1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : APTC60DAM35T1G

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : MOSFET N-CH 600V 72A SP1

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 72A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 72A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 5.4mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 518nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 14000pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 416W (Tc)

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Chassis Mount

Package d'appareils du fournisseur : SP1

Paquet / caisse : SP1

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : APTC , APTC60D

Documents pour APTC60DAM35T1G

Feuilles de données : APTC60DAM35T1G.pdf

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