RGT8NS65DGTL - IGBT 650V 8A 65W TO-263S

Référence fabricant

RGT8NS65DGTL

Numéro de pièce interne

ABC-RGT8NS65DGTL

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

IGBT 650V 8A 65W TO-263S

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

1167551 Pieces

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Spécifications pour RGT8NS65DGTL

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RGT8NS65DGTL

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : IGBT 650V 8A 65W TO-263S

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type IGBT : Trench Field Stop

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 650V

Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 8A

Courant - collecteur pulsé (Icm) : 12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 4A

Puissance - Max : 65W

Énergie de commutation : -

Type d'entrée : Standard

Charge de la porte : 13.5nC

Td (marche / arrêt) à 25 ° C : 17ns/69ns

Condition de test : 400V, 4A, 50 Ohm, 15V

Temps de récupération inverse (trr) : 40ns

Température de fonctionnement : -40°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareils du fournisseur : LPDS (TO-263S)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RGT8 , RGT8NS

Documents pour RGT8NS65DGTL

Feuilles de données : RGT8NS65DGTL.pdf

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