SI5855DC-T1-E3 - MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Référence fabricant

SI5855DC-T1-E3

Numéro de pièce interne

ABC-SI5855DC-T1-E3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SI5855DC-T1-E3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI5855DC-T1-E3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.7A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7.7nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caractéristique FET : Schottky Diode (Isolated)

Dissipation de puissance (max) : 1.1W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 1206-8 ChipFET™

Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI58 , SI5855D

Documents pour SI5855DC-T1-E3

Feuilles de données : SI5855DC-T1-E3.pdf

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