FDI3632 - MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB

Référence fabricant

FDI3632

Numéro de pièce interne

ABC-FDI3632

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FDI3632

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDI3632

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 12A (Ta), 80A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6000pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 310W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : I2PAK (TO-262)

Paquet / caisse : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FD , FDI

Documents pour FDI3632

Feuilles de données : FDI3632.pdf

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