APTMC120AM08CD3AG - MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3

Référence fabricant

APTMC120AM08CD3AG

Numéro de pièce interne

ABC-APTMC120AM08CD3AG

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

58996 Pieces

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Spécifications pour APTMC120AM08CD3AG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : APTMC120AM08CD3AG

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Caractéristique FET : Silicon Carbide (SiC)

Drain à la tension source (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 250A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 200A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 10mA (Typ)

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 490nC @ 20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 9500pF @ 1000V

Puissance - Max : 1100W

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Chassis Mount

Paquet / caisse : D-3 Module

Package d'appareils du fournisseur : D3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : APTMC , APTMC120

Documents pour APTMC120AM08CD3AG

Feuilles de données : APTMC120AM08CD3AG.pdf

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