FDH633605 - MOSFET N-CH DO-35

Référence fabricant

FDH633605

Numéro de pièce interne

ABC-FDH633605

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH DO-35

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

46410 Pieces

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Spécifications pour FDH633605

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDH633605

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH DO-35

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : -

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : -

Température de fonctionnement : -

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : DO-35

Paquet / caisse : DO-204AH, DO-35, Axial

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FDH , FDH6

Documents pour FDH633605

Feuilles de données : FDH633605.pdf

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