ALD1110EPAL - MOSFET 2N-CH 10V 8DIP

Référence fabricant

ALD1110EPAL

Numéro de pièce interne

ABC-ALD1110EPAL

Fabricant

Advanced Linear Devices Inc.

Brève description

MOSFET 2N-CH 10V 8DIP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

115120 Pieces

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Spécifications pour ALD1110EPAL

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : ALD1110EPAL

Fabricant : Advanced Linear Devices Inc.

La description : MOSFET 2N-CH 10V 8DIP

Séries : EPAD®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 10V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.01V @ 1µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2.5pF @ 5V

Puissance - Max : 600mW

Température de fonctionnement : 0°C ~ 70°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Paquet / caisse : 8-DIP (0.300", 7.62mm)

Package d'appareils du fournisseur : 8-PDIP

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : ALD , ALD11

Documents pour ALD1110EPAL

Feuilles de données : ALD1110EPAL.pdf

Produits associés pour ALD1110EPAL Advanced Linear Devices Inc.

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