APT31M100B2 - MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX

Référence fabricant

APT31M100B2

Numéro de pièce interne

ABC-APT31M100B2

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

59361 Pieces

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Spécifications pour APT31M100B2

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : APT31M100B2

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX

Séries : POWER MOS 8™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 1000V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 32A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 8500pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1040W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : T-MAX™ [B2]

Paquet / caisse : TO-247-3 Variant

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : APT , APT31

Documents pour APT31M100B2

Feuilles de données : APT31M100B2.pdf

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