FDM606P - MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET

Référence fabricant

FDM606P

Numéro de pièce interne

ABC-FDM606P

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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quantité disponible

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Spécifications pour FDM606P

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDM606P

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6.8A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 6.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2200pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.92W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-MLP, MicroFET (3x2)

Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FD , FDM

Documents pour FDM606P

Feuilles de données : FDM606P.pdf

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