SI1900DL-T1-GE3 - MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6

Référence fabricant

SI1900DL-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SI1900DL-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour SI1900DL-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI1900DL-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 630mA (Ta), 590mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 480 mOhm @ 590mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.4nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Puissance - Max : 300mW, 270mW

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Package d'appareils du fournisseur : SC-70-6

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI190 , SI1900D

Documents pour SI1900DL-T1-GE3

Feuilles de données : SI1900DL-T1-GE3.pdf

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