CXDM1002N TR - MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89

Référence fabricant

CXDM1002N TR

Numéro de pièce interne

ABC-CXDM1002N TR

Fabricant

Central Semiconductor Corp

Brève description

MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour CXDM1002N TR

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : CXDM1002N TR

Fabricant : Central Semiconductor Corp

La description : MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 5V

Vgs (Max) : 20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.2W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SOT-89

Paquet / caisse : TO-243AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : CXDM , CXDM10

Documents pour CXDM1002N TR

Feuilles de données : CXDM1002N TR.pdf

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