FDD6680AS - MOSFET N-CH 30V 55A DPAK

Référence fabricant

FDD6680AS

Numéro de pièce interne

ABC-FDD6680AS

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 30V 55A DPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FDD6680AS

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDD6680AS

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 30V 55A DPAK

Séries : PowerTrench®, SyncFET™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 55A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 60W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-252

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FDD , FDD6

Documents pour FDD6680AS

Feuilles de données : FDD6680AS.pdf

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