IRFR9N20DTRPBF - MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

Référence fabricant

IRFR9N20DTRPBF

Numéro de pièce interne

ABC-IRFR9N20DTRPBF

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

1360303 Pieces

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Spécifications pour IRFR9N20DTRPBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRFR9N20DTRPBF

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.4A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 560pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 86W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D-Pak

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRFR , IRFR9N2

Documents pour IRFR9N20DTRPBF

Feuilles de données : IRFR9N20DTRPBF.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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