EFC6602R-TR - MOSFET 2N-CH EFCP

Référence fabricant

EFC6602R-TR

Numéro de pièce interne

ABC-EFC6602R-TR

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET 2N-CH EFCP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

54483 Pieces

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Spécifications pour EFC6602R-TR

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : EFC6602R-TR

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET 2N-CH EFCP

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain à la tension source (Vdss) : -

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Puissance - Max : 2W

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 6-XFBGA, FCBGA

Package d'appareils du fournisseur : EFCP2718-6CE-020

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : EFC , EFC66

Documents pour EFC6602R-TR

Feuilles de données : EFC6602R-TR.pdf

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