S1DBHM4G - DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA

Référence fabricant

S1DBHM4G

Numéro de pièce interne

ABC-S1DBHM4G

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description

DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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7603358 Pieces

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Spécifications pour S1DBHM4G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : S1DBHM4G

Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation

La description : DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA

Séries : Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 200V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.1V @ 1A

La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : -

Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 200V

Capacité @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : DO-214AA, SMB

Package d'appareils du fournisseur : DO-214AA (SMB)

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : S1 , S1DB

Documents pour S1DBHM4G

Feuilles de données : S1DBHM4G.pdf

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