CSD19506KTT - MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

Référence fabricant

CSD19506KTT

Numéro de pièce interne

ABC-CSD19506KTT

Fabricant

T-I

Brève description

MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour CSD19506KTT

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : CSD19506KTT

Fabricant : T-I

La description : MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

Séries : NexFET™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 80V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 200A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 156nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 12200pF @ 40V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 375W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : DDPAK/TO-263-3

Paquet / caisse : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : CSD , CSD19

Documents pour CSD19506KTT

Feuilles de données : CSD19506KTT.pdf

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