PMZ200UNEYL - MOSFET N-CH 30V SOT883

Référence fabricant

PMZ200UNEYL

Numéro de pièce interne

ABC-PMZ200UNEYL

Fabricant

Nexperia USA Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 30V SOT883

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour PMZ200UNEYL

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : PMZ200UNEYL

Fabricant : Nexperia USA Inc.

La description : MOSFET N-CH 30V SOT883

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.4A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2.7nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 89pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 350mW (Ta), 6.25W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : DFN1006-3

Paquet / caisse : SC-101, SOT-883

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : PMZ , PMZ20

Documents pour PMZ200UNEYL

Feuilles de données : PMZ200UNEYL.pdf

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