ECH8309-TL-H - MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8

Référence fabricant

ECH8309-TL-H

Numéro de pièce interne

ABC-ECH8309-TL-H

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour ECH8309-TL-H

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : ECH8309-TL-H

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 12V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.5A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1780pF @ 6V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.5W (Ta)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-ECH

Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : ECH8 , ECH830

Documents pour ECH8309-TL-H

Feuilles de données : ECH8309-TL-H.pdf

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