NTJS3157NT1G - MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

Référence fabricant

NTJS3157NT1G

Numéro de pièce interne

ABC-NTJS3157NT1G

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour NTJS3157NT1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NTJS3157NT1G

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.2A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 500pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SC-88/SC70-6/SOT-363

Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NTJS , NTJS31

Documents pour NTJS3157NT1G

Feuilles de données : NTJS3157NT1G.pdf

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