IXTA80N12T2 - MOSFET N-CH 120V 80A TO-263

Référence fabricant

IXTA80N12T2

Numéro de pièce interne

ABC-IXTA80N12T2

Fabricant

IXYS

Brève description

MOSFET N-CH 120V 80A TO-263

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour IXTA80N12T2

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXTA80N12T2

Fabricant : IXYS

La description : MOSFET N-CH 120V 80A TO-263

Séries : TrenchT2™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 120V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 80A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4740pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 325W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-263 (IXTA)

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXT , IXTA8

Documents pour IXTA80N12T2

Feuilles de données : IXTA80N12T2.pdf

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