VQ1001P-2 - MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

Référence fabricant

VQ1001P-2

Numéro de pièce interne

ABC-VQ1001P-2

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour VQ1001P-2

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : VQ1001P-2

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : 4 N-Channel

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 830mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.75 Ohm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 110pF @ 15V

Puissance - Max : 2W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Paquet / caisse : -

Package d'appareils du fournisseur : 14-DIP

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : VQ1 , VQ10

Documents pour VQ1001P-2

Feuilles de données : VQ1001P-2.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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