TPCA8A01-H(TE12L,Q - MOSFET N-CH 30V 36A SOP8 ADV

Référence fabricant

TPCA8A01-H(TE12L,Q

Numéro de pièce interne

ABC-TPCA8A01-H(TE12L,Q

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET N-CH 30V 36A SOP8 ADV

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour TPCA8A01-H(TE12L,Q

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TPCA8A01-H(TE12L,Q

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET N-CH 30V 36A SOP8 ADV

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 36A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.6 mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1970pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.6W (Ta), 45W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-SOP Advance (5x5)

Paquet / caisse : 8-PowerVDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TPCA8A , TPCA8A01-

Documents pour TPCA8A01-H(TE12L,Q

Feuilles de données : TPCA8A01-H(TE12L,Q.pdf

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