APT6017B2LLG - MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX

Référence fabricant

APT6017B2LLG

Numéro de pièce interne

ABC-APT6017B2LLG

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

59370 Pieces

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Spécifications pour APT6017B2LLG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : APT6017B2LLG

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX

Séries : POWER MOS 7®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 35A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4500pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 500W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : T-MAX™ [B2]

Paquet / caisse : TO-247-3 Variant

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : APT6 , APT601

Documents pour APT6017B2LLG

Feuilles de données : APT6017B2LLG.pdf

Produits associés pour APT6017B2LLG Microsemi Corporation

Numéro d'article	Marque	La description
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