NVMFS5A160PLZT1G - -60V7.7MOHMSINGLE

Référence fabricant

NVMFS5A160PLZT1G

Numéro de pièce interne

ABC-NVMFS5A160PLZT1G

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

-60V7.7MOHMSINGLE

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour NVMFS5A160PLZT1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NVMFS5A160PLZT1G

Fabricant : ON Semiconductor

La description : -60V7.7MOHMSINGLE

Séries : Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 15A (Ta), 100A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.7 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 160nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7700pF @ 20V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.8W (Ta), 200W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paquet / caisse : 8-PowerTDFN, 5 Leads

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NVMFS , NVMFS5A1

Documents pour NVMFS5A160PLZT1G

Feuilles de données : NVMFS5A160PLZT1G.pdf

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