SSM6N36FE,LM - MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6

Référence fabricant

SSM6N36FE,LM

Numéro de pièce interne

ABC-SSM6N36FE,LM

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour SSM6N36FE,LM

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SSM6N36FE,LM

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 630 mOhm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.23nC @ 4V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 46pF @ 10V

Puissance - Max : 150mW

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666

Package d'appareils du fournisseur : ES6 (1.6x1.6)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SSM6 , SSM6N3

Documents pour SSM6N36FE,LM

Feuilles de données : SSM6N36FE,LM.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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C0805C154KMREC	KEMET	Ceramic Capacitors 0805 150NF 63V X7R 10.
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