70V3579S4BC8 - IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Référence fabricant

70V3579S4BC8

Numéro de pièce interne

ABC-70V3579S4BC8

Fabricant

IDT, Integrated Device Technology Inc

Brève description

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

58016 Pieces

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Spécifications pour 70V3579S4BC8

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : 70V3579S4BC8

Fabricant : IDT, Integrated Device Technology Inc

La description : IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de mémoire : Volatile

Format de mémoire : SRAM

La technologie : SRAM - Dual Port, Synchronous

Taille mémoire : 1.125Mb (32K x 36)

Fréquence d'horloge : -

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -

Temps d'accès : 4.2ns

Interface mémoire : Parallel

Tension - Alimentation : 3.15V ~ 3.45V

Température de fonctionnement : 0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 256-LBGA

Package d'appareils du fournisseur : 256-CABGA (17x17)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : 70V3 , 70V357

Documents pour 70V3579S4BC8

Feuilles de données : 70V3579S4BC8.pdf

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