BAP55LX,315 - RF DIODE PIN 50V 135MW 2DFN
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-BAP55LX,315
Fabricant
Brève description
RF DIODE PIN 50V 135MW 2DFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BAP55LX,315
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BAP55LX,315
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : RF DIODE PIN 50V 135MW 2DFN
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : PIN - Single
Tension - Inverse de crête (Max) : 50V
Courant - Max : 100mA
Capacité @ Vr, F : 0.28pF @ 20V, 1MHz
Résistance @ Si, F : 800 mOhm @ 100mA, 100MHz
Dissipation de puissance (max) : 135mW
Température de fonctionnement : -65°C ~ 150°C (TJ)
Paquet / caisse : 2-XDFN
Package d'appareils du fournisseur : 2-DFN1006D (0.6x1.0)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour BAP55LX,315
Feuilles de données : BAP55LX,315.pdf
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