SSM6J53FE(TE85L,F) - MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6

Référence fabricant

SSM6J53FE(TE85L,F)

Numéro de pièce interne

ABC-SSM6J53FE(TE85L,F)

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

38112 Pieces

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Spécifications pour SSM6J53FE(TE85L,F)

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SSM6J53FE(TE85L,F)

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.8A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 2.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 136 mOhm @ 1A, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10.6nC @ 4V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 568pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 500mW (Ta)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : ES6 (1.6x1.6)

Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SSM6J5 , SSM6J53FE

Documents pour SSM6J53FE(TE85L,F)

Feuilles de données : SSM6J53FE(TE85L,F).pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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