CSD19502Q5BT - MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6

Référence fabricant

CSD19502Q5BT

Numéro de pièce interne

ABC-CSD19502Q5BT

Fabricant

T-I

Brève description

MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour CSD19502Q5BT

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : CSD19502Q5BT

Fabricant : T-I

La description : MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6

Séries : NexFET™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 80V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.1 mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4870pF @ 40V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.1W (Ta), 195W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-VSON-CLIP (5x6)

Paquet / caisse : 8-PowerTDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : CSD1 , CSD195

Documents pour CSD19502Q5BT

Feuilles de données : CSD19502Q5BT.pdf

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