IXFX60N55Q2 - MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247

Référence fabricant

IXFX60N55Q2

Numéro de pièce interne

ABC-IXFX60N55Q2

Fabricant

IXYS

Brève description

MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IXFX60N55Q2

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXFX60N55Q2

Fabricant : IXYS

La description : MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247

Séries : HiPerFET™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 550V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 60A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 88 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 8mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6900pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 735W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : PLUS247™-3

Paquet / caisse : TO-247-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXF , IXFX6

Documents pour IXFX60N55Q2

Feuilles de données : IXFX60N55Q2.pdf

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