TSM60N900CI C0G - MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220

Référence fabricant

TSM60N900CI C0G

Numéro de pièce interne

ABC-TSM60N900CI C0G

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description

MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour TSM60N900CI C0G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TSM60N900CI C0G

Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation

La description : MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220

Séries : -

Statut de la pièce : Not For New Designs

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.5A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9.7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 480pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 50W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : ITO-220AB

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TSM60 , TSM60N9

Documents pour TSM60N900CI C0G

Feuilles de données : TSM60N900CI C0G.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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