SI5511DC-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Référence fabricant

SI5511DC-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SI5511DC-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SI5511DC-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI5511DC-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N and P-Channel

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A, 3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7.1nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 435pF @ 15V

Puissance - Max : 3.1W, 2.6W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead

Package d'appareils du fournisseur : 1206-8 ChipFET™

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI551 , SI5511D

Documents pour SI5511DC-T1-GE3

Feuilles de données : SI5511DC-T1-GE3.pdf

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