FCPF190N65FL1 - MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220

Référence fabricant

FCPF190N65FL1

Numéro de pièce interne

ABC-FCPF190N65FL1

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour FCPF190N65FL1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FCPF190N65FL1

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220

Séries : SuperFET® II

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 650V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20.6A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 78nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3055pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 39W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220F

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FCPF , FCPF19

Documents pour FCPF190N65FL1

Feuilles de données : FCPF190N65FL1.pdf

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